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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5335 个

  • 充电器mos管,2904mos,​to263封装,KCB2904A场效应管-KIA MOS管

    KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V,漏极电流130A,采用先进的SGT技术,极低导通电阻RDS(ON)2mΩ(典型值),最大限度地降低导通电阻,减少开关损耗;具有低功率损耗,高功率密度,提升最大电流承载能力,易于并联,优异的低Ciss特性,在高频应用中更快地响应...

    www.kiaic.com/article/detail/5935.html         2025-09-22

  • ​直流电机驱动器工作原理详解-KIA MOS管

    直流电机驱动器是通过调节直流电机的输入电流,从而控制电机的转速和转矩;主要由电源、控制器、驱动器和电机组成,控制器根据输入信号发出控制指令,驱动器根据指令调节电机的电流,进而控制电机的运动。

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    www.kiaic.com/article/detail/5934.html         2025-09-22

  • buckboost电路原理,buckboost拓扑结构-KIA MOS管

    开关导通时,能量从输入直流电源(通过开关)传输给电感,没有能量传输给输出端。开关关断时,电感储能(通过二极管)传输到输出端,没有直接来自输入直流电源的能量。

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    www.kiaic.com/article/detail/5933.html         2025-09-22

  • 2n7002场效应管参数,2n7002引脚图,资料-KIA MOS管

    漏源电压(Vds):60V(最大值)连续漏极电流(Id):115mA(典型值)栅源阈值电压(Vgs th):1V至2.5V(测试条件250pA)

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    www.kiaic.com/article/detail/5932.html         2025-09-19

  • 控制器mos管的作用,控制器mos管故障原因-KIA MOS管

    MOS管作为高速电子开关,通过栅极电压控制电流通断,实现对电机调速、制动等操作的精准调节。其低导通电阻和高开关频率特性可显著降低能耗,适用于电动车控制器等高频场景。

    www.kiaic.com/article/detail/5931.html         2025-09-19

  • ​场效应管内部构造和工作原理详解-KIA MOS管

    MOS管的结构核心是“绝缘层隔离栅极与沟道”,具体如下(以N沟道MOS管为例):衬底:通常是P型半导体(也有N型衬底);绝缘层:在衬底表面生长一层极薄的氧化硅(SiO2),厚度仅几十到几百埃(1埃=10-10米),起绝缘作用;

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    www.kiaic.com/article/detail/5930.html         2025-09-19

  • 电源切换mos,3310场效应管,to263封装,​KCB3310A参数-KIA MOS管

    KCB3310A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流90A,采用先进的SGT技术制造,?极低导通电阻RDS(导通)仅为5mΩ,低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,提高效率;具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复,高效可靠,适...

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    www.kiaic.com/article/detail/5929.html         2025-09-18

  • 变频器电路详解,变频器电路原理图-KIA MOS管

    从R、S、T端输入的三相交流电,经三相整流桥(由二极管D1~D6构成)整流成直流电,电压为UD。电容器C1和C2是滤波电容器。6个IGBT管(绝缘栅双极性晶体管)V1~V6构成三相逆变桥,把直流电逆变成频率和电压任意可调的三相交流电。

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    www.kiaic.com/article/detail/5928.html         2025-09-18

  • 电压跟随器电路,LM358电压跟随器-KIA MOS管

    电压跟随器(单位增益放大器、缓冲放大器和隔离放大器)是一种电压增益为 1 的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号进行任何放大。称之为电压跟随器,是因为输出电压直接跟随输入电压,即输出电压与输入电压相同。如果 10V 作为输入进入运算放大器,则...

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    www.kiaic.com/article/detail/5927.html         2025-09-18

  • 适配器充电器mos,1000v场效应管,KNP43100A参数引脚图-KIA MOS管

    KNP43100A场效应管漏源击穿电压1000V,漏极电流4A,极低导通电阻RDS(开启) 2.2Ω,低栅极电荷最小化开关损耗,在承受高电压和高电流方面表现出色;低反向传输电容,开关速度快,快速恢复体二极管,高效率低损耗,符合RoHS标准,稳定可靠;广泛应用于适配器、充...

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    www.kiaic.com/article/detail/5926.html         2025-09-17

  • 温度控制器电路图,温控电路分享-KIA MOS管

    电路由控制电路和主电路组成。主电路由三相断路器QF,交流接触器的主触点KM,三个双向晶闸管(VS1,vs2,vS3)及触发电路,加热器(EH1一EH3)等组成。控制电路主要包括选择开关SA,双向晶闸管vS4及触发电路,中间继电器K1,触发继电器K2,交流接触器的线圈KM,...

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    www.kiaic.com/article/detail/5925.html         2025-09-17

  • 在线式ups原理,在线式ups电路-KIA MOS管

    不间断电源是指在输入电源或市电发生故障时向负载提供应急电源的电力系统,被视为对输入电源中断的近瞬时保护。在线式UPS也被称为双变换器UPS或真正的UPS。它在输入电力通过整流器将交流电转换为直流电后,直接将其用于给电池充电和供电。同时,它通过逆变器将...

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    www.kiaic.com/article/detail/5924.html         2025-09-17

  • 充电mos,1000v场效应管,to220f封装,​KNF41100A参数-KIA MOS管

    KNF41100A超高压场效应管漏源击穿电压1000V,漏极电流2A,低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω,最大限度地降低导通电阻,低栅极电荷最小化开关损耗、高效低耗;快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能,提高器件的开关速度和效率,稳定可靠,符合RoHS,环保无铅;...

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    www.kiaic.com/article/detail/5923.html         2025-09-16

  • cmos反相器电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    CMOS反相器由PMOS和NMOS组成。PMOS在上,接电源,NMOS在下,接地。当输入高电平时,NMOS导通,PMOS截止,输出接地,也就是低电平。输入低电平时,PMOS导通,NMOS截止,输出接电源,高电平。

    www.kiaic.com/article/detail/5922.html         2025-09-16

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